真空鍍膜機

真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。

需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發(fā)出來。在集成電路制造中晶體管路中的保護層（SiO2、Si3N4）、電極管線等，多是采用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發(fā)金屬技術、磁控濺射技術和射頻濺射技術。并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點－島狀結構-迷走結構-層狀生長）形成薄膜。 對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經歷成膜過程，終形成薄膜。

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真空鍍膜機鍍制薄膜不均勻的解決方法

制的薄膜的均勻性都會受到某種因素影響。真空狀態(tài)需要抽氣系統來控制的，每個抽氣口都要同時開動并力度一致，這樣就可以控制好抽氣的均勻性，如果抽氣不均勻，在真空室內的壓強就不能均勻了，壓強對離子的運動是存在一定的影響的。只要你把日常維護和定期維護做好了，在延長設備壽命的同時，生產過程中出現故障的幾率也大大降低。另外抽氣的時間也要控制，太短會造成真空度不夠，但太長又浪費資源，不過有真空計的存在，要控制好還是不成問題的。

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真空鍍膜機的真空室設計方法

真空鍍膜技術是在真空條件下采用物理或者化學方法，使物體表面獲取所需膜體，真空鍍膜技術根據其采用方法的不同科分成蒸發(fā)鍍、濺射鍍、離子鍍、束流沉積以及分子束外延等，這次分析的鍍膜設備采用的是磁控濺射鍍膜。

真空室是真空設備的一個主要組成部位，真空鍍膜設備真空室設計主要考慮的就是密封性和可靠性，結構必須要合理，真空設備的材料生產都是在真空室內進行的，材料對真空度的影響要小，設計不能馬虎，要注意一些問題。

使用磁控濺射的真空鍍膜機一般采用的是圓筒主體結構，結構上要保證快速抽空，因氣袋會緩慢的放氣，因此要避免出現隔離孔穴，真空系統上端會加裝磁控濺射槍，為了使真空室和元件有足夠的強度，保證在外部和內部的作用力下不產生形狀的變化，厚度需要足夠。

焊接是真空室制造中的一道關鍵工序，保證焊接之后的真空室不會產生漏氣現象，須合理設計焊接結構，提高焊接質量，處在超高真空的內壁粗糙度要拋光使室外室內表面很光潔，須特別注意的是需做好防止生銹的措施。